站搜网7月14日消息 据台湾媒体《电子时报》援引自韩国的消息，三星电子将在2019年进一步扩大NAND闪存投资，由今年的64亿美元增至90亿美元。消息称，三星此次投资将专注于扩大韩国平泽、中国西安工厂的高容量3D NAND生产规模，以期与竞争对手拉开差距
站搜网7月14日消息 据台湾媒体《电子时报》援引自韩国的消息，三星电子将在2019年进一步扩大NAND闪存投资，由今年的64亿美元增至90亿美元。
消息称，三星此次投资将专注于扩大韩国平泽、中国西安工厂的高容量3D NAND生产规模，以期与竞争对手拉开差距。业界认为，三星的巨额投资计划是在捍卫其在市场中的主导地位。报道称，此次的投资数额确实显著高于同行竞争对手的水平。
报告指出，随着三星电子宣布第五代V-NAND闪存芯片，这家厂商技术将至少比竞争对手领先两年。
报道还表示，如今三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、闪迪和长江存储均计划未来几年大幅提升3D NAND闪存产量。IC Insights认为，3D NAND闪存市场供过于求的风险正在逐渐提升。IC Insight还表示，NAND闪存价格在今年初逐渐疲软已不让人意外，今年下半年至2019年，这一趋势还有可能继续加速。
标签: 三星 NAND 闪存 投资 扩大 2019年 支出 亿美元
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