三星在今年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。虽然三星看似在3nm制程节点上先行一步，但实际生产上并非一帆风顺，低良品率及缺乏订单一直困扰着三星
三星在今年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。虽然三星看似在3nm制程节点上先行一步，但实际生产上并非一帆风顺，低良品率及缺乏订单一直困扰着三星。
据The Korea Economic Daily报道，已经有多个客户对三星3nm GAA工艺产生兴趣，用在未来的产品中，包括了英伟达（GPU）、高通（SoC）、IBM（CPU）和百度（云端服务器的AI芯片），这些企业过去都和三星有合作，相互之间都比较熟悉。有消息称，目前名单上应该有六间芯片设计公司，不过即便有意向也不会马上生产，大量交付的时间最早也要等到2024年初。
对于3nm芯片而言，这个时间表是正常的。有业内人士表示，一些公司正在减少对台积电的依赖，寻找三星这样的供应商，以寻求自身半导体供应链的多样化。三星也希望能够尽快得到3nm芯片订单，毕竟研发先进的半导体技术所需要的成本非常高，如果没有稳定的收入，很难回收开发成本。
按照三星的说法，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片，面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。
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