站长搜索（ www.adminso.com）：英特尔不敌：台积电逆袭10纳米节点EUV工艺 站长搜索讯 2月26日消息，英特尔作为半导体芯片产品的领头企业，在半导体制程达到14nm节点之后，不断向10nm以内的目标迈进。但是更小的节点意味着更大的困难，在这一范围内传统的工艺已经很难达到要求
站长搜索（ www.adminso.com）：英特尔不敌：台积电逆袭10纳米节点EUV工艺
站长搜索讯 2月26日消息，英特尔作为半导体芯片产品的领头企业，在半导体制程达到14nm节点之后，不断向10nm以内的目标迈进。但是更小的节点意味着更大的困难，在这一范围内传统的工艺已经很难达到要求。不过，英特尔作为多年的“霸主”自然信心满满的表示这一困难必然克服。
但事实上，极紫外光刻（EUV）技术设备在这一制程范围内优势明显，而台积电却代替英特尔做了领头羊。该公司和阿斯麦（ASML）联手将EUV设备的每日产能提升到了1022片晶圆，对于这项新技术来说无疑是一项重大突破。在此之前，IBM与ASML创造了每天637片晶圆的处理记录。
但每天1000片左右的记录距离产生经济效益还有一定差距。理论上要具备经济效益，EUV设备至少要达到每天1500片晶圆的产能。很显然，现在距离这一目标越来越近了，台积电目前上马了至少四套EUV光刻设备，并打算在2016年底的10nm工艺上尽快启用EUV工艺。然而在现有水平下，也只能用在一些小而且简单的芯片上，比如逻辑电路、DRAM及NAND闪存等，想制造复杂的SoC处理器还尚需时日，因此ASML公司认为至少要到2018年才能大规模使用这项新技术。
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