Intel大连工厂转产NAND闪存芯片 投资55亿美元

原标题《英特尔大连工厂转产NAND闪存芯片》，站长搜索编辑酌情修改。据外电报道，英特尔周二表示，该公司计划让位于大连的半导体制造工厂转产存储芯片

原标题《英特尔大连工厂转产NAND闪存芯片》，站长搜索编辑酌情修改。

据外电报道，英特尔周二表示，该公司计划让位于大连的半导体制造工厂转产存储芯片。在未来的三至五年内，该工厂的转产将为英特尔带来至少35亿美元的支出。英特尔称，该公司对大连工厂的投资最高将达到55亿美元。

英特尔大连工厂的转产，正值全球芯片产业掀起整合浪潮之时。中国当前正加速打造本地技术制造能力。

长期以来，英特尔的绝大多数营收都来自于计算机处理器和相关芯片业务。这家公司一直通过严格的控制制造技术，来防止竞争对手的抄袭。

英特尔大连工厂虽然创办于2010年，但是在制造工艺上却落后于其它英特尔工厂两代以上。英特尔表示，通过对该工厂的转产投资，它将成为领先的非易失性存储芯片（nonvolatile memory chips）制造商。非易失性存储芯片是指在断电的情况下，芯片依旧能够保存数据。

非易失性存储芯片包括了目前被广泛应用于智能手机、平板电脑的闪存芯片。英特尔此举不仅表明将进军存储芯片市场，而且会让存储芯片业务拥有更大的独立性。英特尔目前通过与美光的合资公司制造闪存芯片。该公司制造的产品，被英特尔用于硬盘和其它存储设备当中。英特尔和美光最近开发出3D NAND闪存技术。不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和美光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间。英特尔表示，大连工厂预计将从2016年下半年开始生产3D NAND闪存芯片。

除去常规闪存芯片之外，英特尔和美光最近还宣布联合开发出了3D XPoint技术，其速度是现有存储卡和计算机固态驱动器所用NAND闪存技术的1000倍。

英特尔负责非易失性存储芯片业务的副总裁罗伯・克鲁克（Rob Crooke）在博客中表示，“英特尔与美光的关系依旧很好。不过英特尔希望拥有额外提供闪存芯片的渠道。”他说，“大连工厂的转产是我们全球多元化供应战略的一部分，能够让我们更好地服务于客户。”

美光发言人周二就此表示，该公司与英特尔依旧将保持紧密的合作伙伴关系。该发言人称，美光当前正考虑把英特尔在大连的工厂作为未来存储设备的配件供应商之一。

中国目前拥有许多芯片制造商，但还没有一家存储芯片制造商。清华紫光今年7月曾计划230亿美元收购美光。消息人士称，双方的收购谈判之所以破裂，是因为交易可能无法得到美国监管部门的批准。

英特尔股价周二在纳斯达克证券市场常规交易中下跌0.15美元，跌幅为0.45%，报收于33.44美元。在随后的盘后交易中，英特尔股价下跌0.09美元，跌幅为0.27%，报收于33.35美元。过去52周，英特尔最低股价为24.87美元，最高股价为37.90美元。

微信搜索“站长搜索”关注抢6s大礼！下载站长搜索客户端（戳这里）也可参与评论抽楼层大奖！